目的：进行晶圆蚀刻和清洁工艺
适用：6、8、12寸晶圆
UPH：38PCS（双腔，加工时间180秒）
腔体类型：单晶片伯努利旋转加工腔体
Load/Unload：open cassette or Foup
CHUCK：伯努利和边缘夹持旋转卡盘
设备控制：触控式IPC+PLC
加工能力：
均匀性＜5%
100级室内环境
晶片上没有水印痕迹
Wafer背边DI冲洗功能
Thin Wafer 破损率 ＜1000PPM
服务热线
0512-36869849服务热线
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产品时间：2023-07-01 09:33:57
简要描述：
目的：进行晶圆蚀刻和清洁工艺适用：6、8、12寸晶圆UPH：38PCS（双腔，加工时间180秒）腔体类型：单晶片伯努利旋转加工腔体Load/Unload：open cassette or FoupCHUCK：伯努利和边缘夹持旋转卡盘设备控制：触控式IPC+PLC加工能力：均匀性＜5%100级室内环境晶片上没有水印痕迹Wafer背边DI冲洗功能Thin Wafer 破损率 ＜1000PPM
目的：进行晶圆蚀刻和清洁工艺
适用：6、8、12寸晶圆
UPH：38PCS（双腔，加工时间180秒）
腔体类型：单晶片伯努利旋转加工腔体
Load/Unload：open cassette or Foup
CHUCK：伯努利和边缘夹持旋转卡盘
设备控制：触控式IPC+PLC
加工能力：
均匀性＜5%
100级室内环境
晶片上没有水印痕迹
Wafer背边DI冲洗功能
Thin Wafer 破损率 ＜1000PPM
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